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三星推全球最快嵌入式闪存区域

发布时间:2020年05月15日    点击:[1]人次

在移动设备不断发展的今天,用于移动设备的嵌入式闪存的进步速度也非常之快。根据国外媒体的报道,在8个月前刚刚发布eMMC4.5嵌入式闪存之后,三星的下一代NAND内存目前也已整装待发,正式进入大规模量产阶段。

三星日前表示作为目前全球最快的内嵌式闪存,全新eMMCPro闪存芯片使用了64GB和10nm等级的NAND闪存技术,并且也是首款支持eMMC5.0标准的闪存芯片。三星称eMMCPro闪存芯片将有16GB、 2GB和64GB三种选择,其介面速度将高达400MB/s。其中 2GB和64GB的版本的最高瞬时读写频率可以达到7000IOPS(inputs/outputspersecond,每秒读写速度),而最高连续读写速度则分别为250MB/s和90MB/s。这意味着采用eMMCPro闪存芯片的移动设备在多任务处理、页浏览、文件转换、高清视频录制、游戏等方面的性能将会有较大程度的提高。可以预见的是,如果再结合前一段时间发布的新一代Exynos5Octa5420处理器的话,三星下一代移动设备的性能应该会相当强悍

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