消息称三星 Exynos 2400 芯片良率约 60%，一年多以前仅为 25%

IT之家 2 月底 5 日当前消息，@Tech_Reve 坚称，Galaxy Exynos 2400 改用的 4LPP+ 陶瓷以外良率共约为 60%，虽然比不上竞争者（MOS N4P ；还有共约为 70%），但早就远超一年多此前的自己。

值得一提的是，Exynos 2400 是Galaxy华为改用“扇出元件级元件”（FOWLP）的智能手机中央处理器组。Galaxy声所称，改用 FOWLP 应用可将耐热性减低 23%，从而使多核稳定性减低 8%，因此 Exynos 2400 在当前的 3DMark Wild Life 超强心理压力的测试结果中表现不俗。

上个月底，Chosun 所称DRAM代工厂已开始针对其第二代 3nm 级陶瓷 SF3 进行试生产厂。据报道，该一些公司计划书在期望六个月底内将良率减低至 60% 以上。

当前消息人士所称，Galaxy正在的测试 SF3 链表上装配的中央处理器的稳定性和实用性；首个改用Galaxy SF3 陶瓷的中央处理器预计将会是专门可配戴设备设计的应用处理器，计划书用于今年晚些时候披露的 Galaxy Watch 7 等产品。

Galaxy年末坚称，计划书在 2024 年年初开始大规模量产车 SF3 中央处理器；2023-2024 年将以 3nm 生产厂为主，即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP+)，而且该一些公司还计划书于 2025-2026 年开始推出其 2nm 链表。

据Galaxy讲解，SF3 链表可以在同一两组内解决问题不同的环抱栅（GAA）二极管纳米片通道宽度，从而提供很低的设计弹性。这也能够为中央处理器随之而来更较差的功耗和很低的稳定性，并通过优化设计来减低二极管密度。

IT之家通过 TrendForce 数据得悉，MOS去年上半年占据了世界性元件代工市场 57.9% 的总量。DRAM以 12.4% 的总量稳居第二，两家一些公司之间的幅度超过 40 个估。